Transistor  (12.670 Angebote unter 27.678.960 Artikeln)Zum Expertenwissen

Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlich...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...

IGBT, IXBX50N360HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sink...

Dauer-Kollektorstrom max. = 64 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...

IGBT, IXGA12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollektor...

Dauer-Kollektorstrom max. = 225 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...

IGBT, IXG50I4500KN, LITTELFUSE Ein einzelner Hochspannungs-IGBT mit einfacher Parallelisierung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung, Kurzschlussfestigkeit von 10 μs,...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberko...

Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = Y4 M5 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konfig...

IGBT, IXGA20N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 V Kontinuierlicher Kollekto...

Dauer-Kollektorstrom max. = 78 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 325 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGA20N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...