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"MOSFET"

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HEXFET IRFP250NPBF N-Kanal MOSFET, 200 V / 30 A, 214 W, TO-247AC 3-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Channel-Mo...
Infineon
IRFP250NPBF
ab € 1,43*
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HEXFET IRFR4615PBF N-Kanal MOSFET, 150 V / 33 A, 144 W, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ Channel-Modus = Enh...
Infineon
IRFR4615PBF
ab € 0,96*
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Infineon
IRLZ44ZPBF
ab € 0,57*
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Sensata / Crydom D1D80 Halbleiterrelais 1-DC, 3,5 → 32 Vdc Spule, MOSFET-Ausgang, 5 mA - 80 A (2 Angebote) 
Laststrom min. = 5 mA Laststrom max. = 80 A Serie = 1-DC Lastspannung min. = 0 Vdc Lastspannung max. = 100 V Steuerspannung min. = 3,5 Vdc Steuerspannung max. = 32V Schalttyp = DC Ausgangsschaltung...
Sensata Crydom
D1D80
ab € 95,90*
pro Stück
 
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Sensata / Crydom D4D12 Halbleiterrelais, 3,5 → 32 Vdc Spule, MOSFET-Ausgang, 1 mA - 12 A (2 Angebote) 
Laststrom min. = 1 mA Laststrom max. = 12 A Montage Typ = Oberflächenmontage Lastspannung max. = 400 V Steuerspannung min. = 3,5 V dc Steuerspannung max. = 32V Ausgangsschaltung = MOSFET Abmessunge...
Sensata Crydom
D4D12
ab € 72,06*
pro Stück
 
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Infineon
IRF5305PBF
ab € 0,43*
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Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3 (3 Angebote) 
Kleinsignal-Transistor Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 250 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (...
Infineon
BSS139
ab € 0,0765*
pro Stück
 
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COTO TECHNOLOGY C247S SSR, MOSFET, SPST-NO, 50mA, 1.25A, 80V, (1 Angebot) 
Relaisanschlüsse: SMD Lastspannung, max.: 80 V Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Durchlassstrom If: 50 mA Laststrom: 1.25 A Isolationsspannung: 1.5 kV Durchlasswiderstand, m...
Coto Technology
C247S
ab € 2,21*
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Modulares MOSFET-Relais G3VM, Modul, 1 Wechsler, 20V, 1A (2 Angebote) 
Modulares MOSFET-Relais, Typ=G3VM-26M11, Breite=5 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=11 mm, Lastspannung max.=20 V, Lastspannung min.=0 V, Laststrom max.=1 A, Laststrom min.=450 mA,...
Omron
G3VM-26M11
ab € 68,86*
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ANALOG DEVICES ADP3625ARDZ-RL MOSFET-TREIBER, LOW-SIDE, HSOIC-8 (1 Angebot) 
Quellstrom: 4 A Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: ADP3625 Series Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 18 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s)...
Analog Devices
ADP3625ARDZ-RL
ab € 1,07*
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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; low-side,Steuerung für Gates; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Leistung: 625mW Gehäuse: SO8 Anschaltzeit: 50ns Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Anzahl Kanäle: 2 Ausschaltzeit: 50ns Vers...
Infineon
IRS4427SPBF
ab € 0,89*
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2SK 2SK3878(F) N-Kanal MOSFET, 900 V / 9 A, 150 W, TO-3PN 3-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω Channel-Modus...
Toshiba
2SK3878(F)
ab € 1,42*
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Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220 (5 Angebote) 
MOSFET (HEXFET /FETKY) Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter od...
Infineon
IRF540NPBF
ab € 0,302*
pro Stück
 
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DIODES INC. DMG3418L-7 MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 4A, 30V, SOT-23, (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 1.4 W SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150 °C Schwellenspannung Vgs: 1.5 V Drain-Source-Spannung Vds: ...
Diodes
DMG3418L-7
ab € 0,0571*
pro Stück
 
 Stück
Modulares MOSFET-Relais G3VM, Modul, 1 Wechsler, 20V, 200mA (2 Angebote) 
Modulares MOSFET-Relais, Typ=G3VM-26M10, Breite=5 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=11 mm, Lastspannung max.=20 V, Lastspannung min.=0 V, Laststrom max.=200 mA, Laststrom min.=90 m...
Omron
G3VM-26M10
ab € 68,78*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.

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