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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A
Artikel-Nr.:
     2805-YJS12N10A-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     YJS12N10A
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Gehäuse: SOP8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 80nC
Technologie: SPLIT GATE TRENCH
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 120A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.