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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-WMM36N65F2-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMM36N65F2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: WAYON
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 277W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 46nC
Technologie: WMOS™ F2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 100A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.