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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; Idm: 56A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; Idm: 56A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; Idm: 56A
Artikel-Nr.:
     2805-STF19NM50N
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF19NM50N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 500v
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: MDmesh™ ||
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 56A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet
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