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Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     2805-SGT120R65AL
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SGT120R65AL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: PowerFLAT 5x6
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 192W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 3nC
Technologie: GaN
Transistor-Art: HEMT
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -10...7V
Drainstrom im Impuls: 36A
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, smd transistor
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