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Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MMIX1F360N15T2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1F360N15T2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Bereitschaftszeit: 150ns
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 235A
Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 680W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 715nC
Technologie: HiPerFET™;GigaMOS™;TrenchT2™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 900A
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