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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 63A; Idm: 330A; 520W
Artikel-Nr.:
     2805-MMIX1F132N50P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1F132N50P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 63A
Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 267nC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 330A
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