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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-MII75-12A3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MII75-12A3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Gehäuse: Y4-M5
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Anwendung: Motoren;für Pumpen;Lüfter;Photovoltaik
Verlustleistung: 370W
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: NPT
Topologie: IGBT Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: igbt
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