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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 11A; Idm: 38A; 127W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-LGE3M160120E
Hersteller:
     LUGUANG ELECTRONIC
Herst.-Nr.:
     LGE3M160120E
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 127W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 42nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...20V
Drainstrom im Impuls: 38A
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