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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-IXFY4N60P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFY4N60P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 2,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 114W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 6,9nC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 8A
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