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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXFT50N85XHV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFT50N85XHV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268HV
Bereitschaftszeit: 218ns
Drain-Source Spannung: 850V
Drainstrom: 50A
Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 890W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 152nC
Kanal-Art: stark
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