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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; DIP8; -600÷290mA; 1W; Ch: 2; 10÷20VDC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; DIP8; -600÷290mA; 1W; Ch: 2; 10÷20VDC
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; DIP8; -600÷290mA; 1W; Ch: 2; 10÷20VDC
Artikel-Nr.:
     2805-IRS2108PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRS2108PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: DIP8
Leistung: 1W
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Anschaltzeit: 320ns
Ausschaltzeit: 235ns
Ausgangsstrom: -600...290mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
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