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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRF5305PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF5305PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: -55V
Drainstrom: -31A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 42nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor
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