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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon DDB6U75N16W1R
Artikel-Nr.:
     2805-DDB6U75N16W1RBOMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     DDB6U75N16W1RBOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diodenmodul
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-EASY1B
Rückspannung max.: 1,6kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Verlustleistung: 335W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;NTC Thermistor;boost chopper
Weitere Suchbegriffe: igbt module infineon, diodenmodul
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