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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1,17A; 1,8W; PG-SOT223


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Produktinformationen:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1,17A; 1,8W; PG-SOT223
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1,17A; 1,8W; PG-SOT223
Artikel-Nr.:
     2805-BSP315PH6327XTSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSP315PH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
Leistungstransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-SOT223
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -1,17A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Technologie: SIPMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet
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