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Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Artikel-Nr.:
     2805-APT102GA60L
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT102GA60L
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 102A
Kollektorstrom im Impuls: 307A
Anschaltzeit: 65ns
Ausschaltzeit: 313ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 780W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 294nC
Technologie: POWER MOS 8®
Die Konditionen im Überblick1
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