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| Artikel-Nr.: 139-3439610 Herst.-Nr.: BC847QAPNZ EAN/GTIN: k.A. |
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| Bauform - Transistor: DFN1010B Verlustleistung, PNP: 350 mWDC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200 hFEProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Verlustleistung, NPN: 350 mWBetriebstemperatur, max.: 150 °CÜbergangsfrequenz, NPN: 100 MHzÜbergangsfrequenz, PNP: 100 MHzQualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45 VKontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100 mAKollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45 VKontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 mADC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 hFERoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, BC847QAPNZ, 3439610, 343-9610 |
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