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INFINEON IRLR3636TRLPBF MOSFET, N-KANAL, 60V, 99A, TO-252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-3227661
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLR3636TRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054 ohm
  • Produktpalette: HEXFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 99 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 143 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IRLR3636TRLPBF, 3227661, 322-7661
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