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| Artikel-Nr.: 139-3129994 Herst.-Nr.: STD3NM60N EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 ohmProduktpalette: MDmesh II MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3.3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 50 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2019) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD3NM60N, 3129994, 312-9994 |
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