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ONSEMI MJB41CT4G TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
139-2535623

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
MJB41CT4G

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Schalttransistor
Transistor
schalttransistor npn
schalttransistor

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Verlustleistung, PNP: -

DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -

Übergangsfrequenz, NPN: 3 MHz

Übergangsfrequenz, PNP: -

Qualifikation: -

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: NPN

Verlustleistung, NPN: 65 W

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6 A

Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -

DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15 hFE

RoHS konform: Keine Angaben

... > Transistoren > Bipolare Transistoren > Bipolare Schichttransistor-Arrays (BJT)

Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, MJB41CT4G, 2535623, 253-5623

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