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ROHM RS1E200BNTB MOSFET, N-KANAL, 30V, 20A, HSOP-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2490616
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RS1E200BNTB
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 20a
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 20 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: HSOP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RS1E200BNTB, 2490616, 249-0616
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