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Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.07 ohm


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2480777
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSO615CGHUMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungstransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1 A
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07 ohm
  • Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 2 W
  • Verlustleistung, p-Kanal: 2 W
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, feldeffekttransistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, INFINEON, BSO615CGHUMA1, 2480777, 248-0777
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