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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.194 ohm, TSMT, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-1525552
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RTQ020N03TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 2a
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TSMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 1.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RTQ020N03TR, 1525552, 152-5552
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