SiC-MOSFET-Kaskode, N-Kanal, 650V, 31A, TO-220

SiC-MOSFET-Kaskode, Typ=UJ3C065080T3S, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=13 ns, Ausschaltverzögerung=59 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=18 ns, Gate-Source-Spannung=25 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=31 A, Leistungsverteilung (PV)=190 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=250 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=80 mΩ, Bauform=TO-220, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre