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| Artikel-Nr.: 108EL-8303379 Herst.-Nr.: IRLR3410TRPBF EAN/GTIN: 5059043219615 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 155 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 79 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 155 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 79 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD Kondensator, chip-kondensator 100v, leistungs-mosfet, mosfet infineon, 8303379, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR3410TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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