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| Artikel-Nr.:
108EL-8268908 Herst.-Nr.:
IRF7389TRPBF EAN/GTIN:
5059043196787 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A; 7,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 5,3 A; 7,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 46 mΩ, 98 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8268908, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7389TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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