|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-8268223 Herst.-Nr.:
IKW15N120H3FKSA1 EAN/GTIN:
5059043159829 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 217 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.03 x 5.16 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 217 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.03 x 5.16 x 21.1mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 8268223, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW15N120H3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |