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| Artikel-Nr.:
108EL-7982959 Herst.-Nr.:
PSMN3R4-30PL,127 EAN/GTIN:
5059043721026 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.15V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 114 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.15V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 114 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7982959, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PSMN3R430PL,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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