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STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Produktinformationen

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Artikel-Nr.:
108EL-7919308

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STD80N4F6

EAN/GTIN:
5059042527957

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.2mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	80 A
Drain-Source-Spannung max.:	40 V
Gehäusegröße:	DPAK (TO-252)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	6 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	70 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Breite:	6.2mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 7919308, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD80N4F6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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