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| Artikel-Nr.:
108EL-7689307 Herst.-Nr.:
SISA04DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040804623 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 3,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 52 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7689307, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISA04DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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