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| Artikel-Nr.:
108EL-5411742 Herst.-Nr.:
IRF6215PBF EAN/GTIN:
5059045910428 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.69mm
Serie = HEXFET
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 290 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.69mm | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 13a, 5411742, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6215PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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