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| Artikel-Nr.:
108EL-301754 Herst.-Nr.:
IRF7530TRPBF EAN/GTIN:
5059045920663 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.86mm
Zweifacher N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N-Kanal-Konfiguration wählen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | MSOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.86mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 301754, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7530TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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