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| Artikel-Nr.:
108EL-2601072 Herst.-Nr.:
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = TSDSO
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 310 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | TSDSO | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 24 | Channel-Modus: | Enhancement | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2601072, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IQE006NE2LM5CGSCATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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