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C62


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2581018
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKW50N65ET7XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2581018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW50N65ET7XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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