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C62


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     108EL-2580855
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF900R12ME7B11NPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = AG-ECONOD-711
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
900 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
AG-ECONOD-711
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2580855, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF900R12ME7B11NPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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