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| Artikel-Nr.:
108EL-2489309 Herst.-Nr.:
IMBG65R022M1HXTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 64 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-263-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2489309, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMBG65R022M1HXTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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