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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2352762
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGW80TS65EHRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Konfiguration = Single
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Anzahl an Transistoren:
1
Konfiguration:
Single
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Single & Common Emitter
Weitere Suchbegriffe: 2352762, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGW80TS65EHRC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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