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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-2352747
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGW00TS65HRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 254 W
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
50 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±30V
Verlustleistung max.:
254 W
Gehäusegröße:
TO-247N
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Single & Common Emitter
Weitere Suchbegriffe: 2352747, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RGW00TS65HRC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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