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Infineon CoolMOS™ IPG20N10S4L22ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2224681
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPG20N10S4L22ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,022 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
CoolMOS™
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,022 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.1V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2224681, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPG20N10S4L22ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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