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| Artikel-Nr.:
108EL-2207474 Herst.-Nr.:
IRF6613TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0035 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = StrongIRFET
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Hoher Nennstrom Zweiseitige Kühlung Niedrige Gehäusehöhe von 0,7 mm Gehäuse mit niedriger parasitärer (1-2 NH) Induktivität Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Industriestandard-Qualifikationsebene Hohe Strombelastbarkeit Optimale Wärmeleistung Kompakter Formfaktor Hoher Wirkungsgrad Umweltfreundlich Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0035 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | StrongIRFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 2207474, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRF6613TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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