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| Artikel-Nr.:
108EL-2183127 Herst.-Nr.:
IRLR2703TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,045 Ω, 0,065 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt.Sehr niedriger Einschaltwiderstand Fast Switching Voll-Avalanche-Bewertung Ohne Leitung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 23 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,045 Ω, 0,065 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 2183127, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR2703TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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