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| Artikel-Nr.:
108EL-2172633 Herst.-Nr.:
IRFS4229TRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 48 mO
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 1
Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Haltespannung entwickelt Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen in Plasma-Display-Panels. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche und eine niedrige E-Impulsbelastbarkeit zu erreichen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Wichtige Parameter optimiert für PDP-Haltezeit-, Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen Niedrige EPULSE-Nennleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Anwendungen für Haltespannung, Energierückgewinnung und Durchpassschalter Niedrige QG für schnelles Ansprechen Hohe Repetitive Peak Current Capability für zuverlässigen Betrieb Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten 175 °C Betriebsanschlusstemperatur für verbesserte Robustheit Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 48 mO | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2172633, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRFS4229TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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