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| Artikel-Nr.:
108EL-2152555 Herst.-Nr.:
IPT60R050G7XTMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™ P7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,05 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ P7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,05 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, 2152555, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT60R050G7XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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