Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
108EL-2144423 Herst.-Nr.:
IPT111N20NFDATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 96 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0111 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist die perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie optimales thermisches Verhalten und Platzersparnis erforderlich sind.Er ist RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 96 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0111 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2144423, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPT111N20NFDATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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