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| Artikel-Nr.:
108EL-2069789 Herst.-Nr.:
TPH1R306PL,L1Q(M EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TPH1R306PL
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2.3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 1,0 m? Lagertemperatur: -55 bis 175 °C. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TPH1R306PL | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2.3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2069789, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TPH1R306PL,L1Q(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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