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| Artikel-Nr.: 108EL-2049875 Herst.-Nr.: STGP20H65DFB2 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 147 W Gehäusegröße = TO-220 Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 40 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 147 W | Gehäusegröße: | TO-220 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220, 2049875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGP20H65DFB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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