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| Artikel-Nr.:
108EL-1952676 Herst.-Nr.:
NVMTS1D2N08H EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 337 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 8mm
Höhe = 1.15mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Kompaktes Design Niedriger RDS (EIN) Minimiert Leitungsverluste Niedrige QG und Kapazität Minimiert Treiberverluste Option mit benetzbaren Flanken Verbesserte optische Prüfung PPAP-fähig Anwendung Batterieverpolungsschutz Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 337 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 8mm | Höhe: | 1.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1952676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMTS1D2N08H, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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