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| Artikel-Nr.:
108EL-1888467 Herst.-Nr.:
STD8N65M5 EAN/GTIN:
5059045752349 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 4V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodendurchschlagsspannung = 1.5V
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7 A | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 4V | Verlustleistung max.: | 70 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodendurchschlagsspannung: | 1.5V |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 1888467, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD8N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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