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| Artikel-Nr.:
108EL-1888440 Herst.-Nr.:
STD5N80K5 EAN/GTIN:
5059045751274 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,73 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 60 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.17mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,73 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 6.2mm | Höhe: | 2.17mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 1888440, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD5N80K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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